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當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > > CMP 晶圓減薄拋光 > 7AF-HMG SiC研磨機(jī)
簡要描述：7AF-HMG研磨機(jī)具有實(shí)時(shí)過程監(jiān)控及雙探頭監(jiān)測功能，研磨SiC會產(chǎn)生熱量，從而導(dǎo)致研磨機(jī)熱膨脹，使用單個(gè)探針，研磨的前幾塊晶圓的厚度讀數(shù)將不準(zhǔn)確，通常會導(dǎo)致研磨不足，使用雙探針可防止研磨不足，一個(gè)探針參考晶圓，另一個(gè)探針則參考工作卡盤，這消除了優(yōu)于熱膨脹引起的誤差
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：代理商產(chǎn)品資料：更新時(shí)間：2024-11-09訪 問 量： 3315產(chǎn)品分類
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7AF-HMG研磨機(jī)特點(diǎn)：
雙探頭檢測：
研磨SiC會產(chǎn)生熱量，從而導(dǎo)致研磨機(jī)熱膨脹，使用單個(gè)探針，研磨的前幾塊晶圓的厚度讀數(shù)將不準(zhǔn)確，通常會導(dǎo)致研磨不足，使用雙探針可防止研磨不足，一個(gè)探針參考晶圓，另一個(gè)探針則參考工作卡盤，這消除了優(yōu)于熱膨脹引起的誤差
實(shí)時(shí)過程監(jiān)控：
應(yīng)用：
基質(zhì)研磨
·在晶圓制造過程的早期發(fā)生，
·用線鋸或K-cut切割
·漿料去除通常在10微米
·后續(xù)晶圓制造操作為表面
·用6EZ拋光
背面研磨
·在晶圓的一側(cè)制造器件后發(fā)生
·起始面通常具有較低的TTV
·漿料去除通常在100微米
其他應(yīng)用程序
·線鋸基材的背面減薄和整體減薄
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